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81.
The modified Gross–Pitaevskii equation was derived and solved to obtain the 1D solution in the zero-energy limit. This stationary solution could account for the dominated contributions due to the kinetic effect as well as the chemical potential in inhomogeneous Bose gases.  相似文献   
82.
Behavior of the Coulomb energy difference for light nuclei is explained in terms of the different values of the average Coulomb interaction between two particles.Coulomb energy difference according to shell model of light mirror nuclei in the Coulomb and exchange integrals in the formula can be explained with exponential-type wavefunctions.In this study,using the one-center expansion of exponential-type wavefunctions in terms of Slater-type orbitals with the same center,we derived formula for Coulomb energy difference of light mirror nuclei.  相似文献   
83.
用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.  相似文献   
84.
氮化铝薄膜的光学性能   总被引:5,自引:4,他引:1  
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm~800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为6.2eV;而其对应的吸收谱在6.2eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k~293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.  相似文献   
85.
In this paper we discuss thermodynamics parameters of black hole horizon and cosmological horizon in general high-dimensional space-time. We obtain that the entropy of a cosmological horizon can be described by the Cardy-Verlinde formula. However, the entropy of black hole horizon will be expressed in a form of the Cardy-Verlinde formula, if one adopts the methods given by Abbott and Deser to compute the mass of a black hole in general high-dimensional space-time. Through discussion, relation among various thermodynamics parameters of the black hole in general high-dimensional space-time is given. That is, differential formula of the first law of thermodynamics is obtained. Because we discuss the general high-dimensional space-time, our result has universality. PACS: 04.20.Dw, 97.60.Lf  相似文献   
86.
Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词: 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积  相似文献   
87.
Adhesion of zein to solid substrates has been studied using surface energy profiles as indices and by adhesion mapping using atomic force microscopy (AFM). Different plasticizers like glycerol and sorbitol have been used to form mixed films with zein and properties of these films are studied using surface energy profiles. Comparison of the results from the different mixed samples with those from the pure zein films showed that force mapping could identify areas rich in protein. The adhesion maps produced were deconvoluted from sample topography and contrasted with the data obtained from contact angle measurements. A comparison of the two methods shows that the extent of contact angle hysteresis is indicative of both hydrophobicity of the surface as well as the force of adhesion. Mechanical properties and microstructure of zein films prepared by casting from solutions and using Langmuir-Blodgett film technique have been investigated. Pure zein seemed brittle and exhibited an essentially linear relationship between stress and strain. Films with plasticizer were tougher than these films. In general, mixed films showed better mechanical properties than pure films and had higher ultimate tensile strength and increased per cent elongation. Further, the mixed films of zein showed a higher force of adhesion compared to the pure films.  相似文献   
88.
在形变约束的相对论平均场理论框架下, 用TMA, PK1, NL3和NL-SH相互作用对196Pb的超形变态进行了系统研究. 给出了196Pb的位能曲线、基态和超形变态的形变以及超形变态退激的激发能. 196Pb的基态为β2≈-0.15的扁椭球, 超形变激发态为β2≈0.60的长椭球, 激发能在4-5MeV之间, 势阱深度在1-2.2MeV之间. 这些结果与最近观测的实验数据符合得非常好, 表明相对论平均场理论能够较好地描述196Pb超形变转动带带首的能量.  相似文献   
89.
研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪,能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成,每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到,为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小,在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料;为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工,能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm2).借助此能谱仪,测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布,并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势. 关键词: Z箍缩等离子体 罗斯滤片 软X射线能谱  相似文献   
90.
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